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10Gbps Φ50μm 正照APD芯片
型号：XSJ-10-APD5-50P-X
该10G雪崩光电二极管芯片(APD芯片)为上P电极，下N电极结构，顶照有源面积大小为Φ50μm。本产品具有高倍增、低电容、高带宽、低温度系数、可靠性优异等特点，适用于10G SONET/SDH和10G PON光接收机。
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描述
产品特点
- Φ50μm光探测窗口
- 高倍增
- 低温度系数
- 100%测试和外观检测
- 高可靠性：本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求
- 符合RoHS2.0要求(2011/65/EU)
应用领域
- 10G SONET/SDH
- 10G PON
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