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120μmX60μm 侧入光监视PD芯片
型号：XSJ-10-EMPD-120RB
该XSJ-10-EMPD-120RB是侧面入光的InGaAs InP PIN监测光探测器芯片，为平面结构。阳极和阴极在正面，背面金属化，芯片侧面探测窗口是120umX60um，适合于数据中心和电信边射型激光器，在980nm到1620nm波段范围内有很高的响应度，适用于非气密性封装。
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描述
产品特点
- PN电极位于顶部
- 侧边可探测区域：100μmX60μm
- 高响应度,低暗电流
- 支持共晶工艺
- 100%测试和外观检测
- 满足非气密性封装要求
- 高可靠性：本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求
- 符合 RoHS2.0要求 (2011/65/EU)
应用领域
- LD后向光功率监测
- FTTH数字光通信
- 光互联
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