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4x28Gbps Φ35μm 250μm 芯片间距1×4 阵列GaAs PIN PD芯片
型号：XSJ-10-G6A-35H-K4
该高数速NRZ/4X56Gbps PAM-4光电二极管芯片采用GaAs顶照1×4阵列PIN结构。特点是高倍增，低电容和低暗电流，光敏面大小为Φ35μm，信号和接地键合板设计在芯片顶部，便于线键合，应用于850nm 4X28Gbps/4X56Gbps PAM-4短距离数据光通信。
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描述
产品特点
- Φ35μm光探测窗口
- 低暗电流
- GSG焊盘设计
- 芯片间距：250μm
- 100%测试和外观检测
- 高可靠性：本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求
- 符合 RoHS2.0要求 (2011/65/EU)
应用领域
- 200G SR4
- 多模平行光纤光通信
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